硅各向异性腐蚀制备尖端发射阴极的凸角补偿

liu635

本文分析了用各向异性腐蚀剂EPW制备硅尖端发射阴极的凸角腐蚀问题, 指出正方形膜沿110方向腐蚀出的尖端顶部侧面并非111面, 而是212面提出正方掩膜沿210方向对准的新方法这种对准方法无凸角腐蚀、光刻工艺容易实现。