高效单晶电池工艺之二

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扩散制结
   
       制作PN结，实质上就是使受主杂技在半导体晶体内的一个区域上占优势（P型），而使施主杂质在半
导体内的另外一个区域中占优势（N型），这样就在一块完整的半导体晶体中实现了PN型半导体的接触了
。形像一点讲就是将硅片放置在扩散炉中用POCL3在硅片上扩散磷原子，以在P型硅片上形成深度约为
0.5UM左右的N型导电区，在界面形成P-N结。在太阳能电池制造中磷扩散一般有三种方法，POCL3液态源扩
散，喷涂磷酸水溶液后链式扩散和丝网印刷磷浆料后链式扩散。以POCL3方法为例：反应化学式为：
POCL3+O2（过量）＝P2O5+CL2      P2O5+Si=SiO2+P 其中扩散温度最高可达850-900度，其中过量的O2作
用是使PCL5进一步分解成P2O5并放出CL2，减少或避免对硅片的腐蚀。扩散制结中几个重要因素：1.保证
扩散间的工艺卫生，所有工具夹必须保持干净的状态；2.实施五双制；3.方块电阻；4.TCA工艺及常用工
艺号（125，156单多晶）；5.影响方块电阻的因素有源量，时间和温度；6.影响硅片电阻测量精确因素有
光照，温度和高频干扰等。扩散时常见故障：扩散不到，扩散电阻偏高或偏低，扩散片与片不均匀，扩散
硅片有大小不等的色斑等。在这里均不再详述。