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高效单晶电池工艺之四

发表于 2009-5-8 10:52:38 | 查看全部 |阅读模式
钝化层
      钝化工艺是制造高效太阳电池的一个非常重要的步骤,在一定程度上说,它是衡量高效电池的重要标志。对于没有进行钝化的太阳电池,光生载流子运动到一些高复合区域后,如表面和电极接触处,很快就被复合掉,从而严重影响电池的性能。采取一些措施对这些区域进行钝化后可以有效地减弱这些复合,提高电池效率。一般来说,高效太阳电池可采用热氧钝化、原子氢钝化,或利用磷、硼、铝表面扩散进行钝化。
      热氧钝化是最普遍最有效的一种方式,在电池的正面和背面形成氧化硅膜,可以有效地阻止载流子在表面处的复合。除此之外,氧化硅层还可以起到减反射膜、化学镀的掩膜、防止硅片污染等作用。目前,采用TCA(三氯乙烯)工艺生长的氧化硅层钝
化效果较高。利用原子氢对电池也有很好的钝化,一般认为,硅的表面有大量的悬挂键,这些悬挂键是载流子的有效复合中心,而原子氢可以中和悬挂键,所以减弱了复合。利用PECVD和“alneal”工艺可以在硅片的界面处产生原子氢."PECVD"工艺是采用等离子体增强化学气相沉积技术在电池表面沉积一层SiN减反射膜,其作用:1.减少光反射,起到表面钝化和体钝化的效果;2.提高电池的短路电流和开路电压。其反应式为:SiH4+NH3==SiNx+H2. “alneal”工艺是指在正面的氧化层上蒸镀铝膜,然后在370 ℃的合成气氛(4%H2+96%N2)中退火30 min,最后用磷酸腐蚀掉这层铝膜。经过“alneal”工艺后,载流子寿命和开路电压都得到较大提高。这种工艺的原理是,在一定温度下,铝和氧化物中OH-离子发生反应产生了原子氢,从而对Si/SiO2的界面的
一些悬挂键进行钝化。
      利用磷、硼或铝在电池的表面进行扩散,形成背场,迫使少数载流子远离表面,减少复合几率,这也是一种钝化。

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