关于系统层面PID的产生原因简析

keenchan

之前在论坛里面提到过"光伏系统层面 阵列负极接地 防PID技术文档参考文献"
http://bbs.21spv.com/forum.php?m ... 0&fromuid=13702

里面的文章对目前系统层面防pid技术有较为详细的阐述;

对于系统层面,晶硅组件 PID是如何产生的,下面我就根据文献 自己画了张图 进行解释:

希望对大家有所帮助, 如有其它不同想法,欢迎 跟帖!!!

csjsky

没这么看懂啊

SeulLoup

本质上，是因为光伏系统中，保护接地及工作接地未能同时进行。 正常情况下，系统中组件边框一定会进行保护接地的，而在使用非隔离逆变器是，由于逆变器的缘故，系统不能进行中性点工作接地，导致组件串负极相对于边框（地）存在负压，导致内部离子迁移，电池片缺陷中心增多。

keenchan

SeulLoup 发表于 2013-5-5 13:18
本质上，是因为光伏系统中，保护接地及工作接地未能同时进行。 正常情况下，系统中组件边框一定会进行保护接 ...

恩,解释的很对

ilunar

SeulLoup 发表于 2013-5-5 13:18
本质上，是因为光伏系统中，保护接地及工作接地未能同时进行。 正常情况下，系统中组件边框一定会进行保护接 ...

涉及到一些电化学的知识啊，不太懂。
另外，要从系统层面上避免PID，直流侧负极接地就是了。但是我所看到的项目里，直流侧负极没有接地的。甚至大型电站还有防直流接地报警装置。搞不懂

SeulLoup

ilunar 发表于 2013-5-9 20:51
涉及到一些电化学的知识啊，不太懂。
另外，要从系统层面上避免PID，直流侧负极接地就是了。但是我所看到 ...

是的，但是TL（transformer less，无隔离变压器）逆变器的效率很高，所以欧洲及亚洲地区是主流的选择，而TL逆变器不允许直接接地