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硅晶体生长的物理基础

发表于 2008-3-16 17:47:57 | 查看全部 |阅读模式
本帖最后由 xia2009 于 2010-7-1 16:47 编辑

硅晶体生长的物理基础 共14个压缩包

PDF格式,共499页,上海科学技术出版社
本书用传输理论、热力学、统计物理学和动力学理论系统地总结和解释了晶体生长过程,这种讨论了熔体生长特别是直拉法生长。结合温场、溶质分凝、液流效应、生长层、组分过冷、相图、界面的结构和性质、晶体形态等问题作了仔细的分析并给出相应的物理解释。对不同生长系统(气液生长、溶液生长、熔体生长)中的生长动力学采用统一的观点加以阐述。

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