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直拉法拉制硅单晶时,单晶生长表面存在边界层,由于强度不同,晶体转动速度不同,边界层厚薄也不同。无论速度边界层δv,溶质边界层δc和温度边界层δT,它们的大小都受晶体转动速度影响,都正比于ω-1/2。速度边界层δv较大,在δv内一般为层流;溶质边界层δc小的多,在δc内,溶质输送主要是传层传热。熔体中的强迫对流和自然对流通过影响三个边界层的厚度,使溶质边界层δc内的溶质和温度边界层δT的温度发生波动而影响晶体生长界面的生长状态,影响生长界面的稳定性 |
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