中国用冶金法或者物理法从事太阳能级硅的冶炼其实是比较早的事情。我个人看到的一篇最早的关于用定向凝固从金属硅中除铁的是New Roman ">1991年发表的，作者是东北工学院钢铁冶金系的梁连科等人。但这绝不是中国关于物理法多晶硅最早的文章。这里，笔者无暇对中国物理法多晶硅的鼻祖和发展史进行调研，因此，只对2004年以来，在中国的太阳能市场上，依旧在呼风唤雨的大侠们做一个介绍。
需要指出的是，本博主的信息来源有限，大多局限于互联网的报道，和坊间的传闻，难免有不实之处和挂一漏万；因此，有关的消息是否准确，请读者自行判断。
将从事物理法多晶硅的能人称为“大侠”，绝对不是一种搞笑的比喻。如果曾经参与过这个行业人应该都有体会。如果把这个行业叫做“江湖”，那么在这个“江湖”里的那些专家们，行事说话谈吐，绝对不比武侠小说里的江湖上的大侠逊色。而且，东邪西毒北丐南帝，老顽童小邪女，还有裘千仞裘千丈，形形色色的人物，连金庸和古龙先生的武侠小说的角色，也没有现实多晶硅业界的大侠们丰富多彩。
多晶硅作为一个史无前例的开创型创新行业，自然少不了院士的参与。实际上，中国的多晶硅目前如此之热，就是因为在2005年，梁骏吾、周廉、阙端麟三位院士联名向国务院等相关部门提交了一份建议书，呼吁“打破垄断、政府主导、多方融资，迅速建立年产上千吨级的多晶硅生产厂”，该建议书引起了国家领导人和政府各部门对多晶硅的重视，就此，拉开了中国多晶硅建设热的序幕。
因此，这里先对涉及到多晶硅的院士级的真正的大侠给予介绍。
阙端麟
1928年5月19日生于福建福州。半导体材料学家。阙端麟1951年毕业于厦门大学电机系，毕业后留校任教。1953年调浙江大学工作，1981年晋升为教授。1984年加入九三学社。曾先后任浙江大学电机系实验室主任、无线电系半导体材料与器件教研室副主任、材料科学与工程系副主任、半导体材料研究室主任、半导体材料研究所所长、浙江大学副校长、校务委员会副主任等职。1991当选为中国科学院学部委员(院士)。
1954年，跨入了半导体材料这一新兴学科，1959年转向硅材料的研究，1964年在国内首先用硅烷法制成纯硅。随后在浙江大学组成了扩大的研究课题组，于1970年完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术研究，30年来一直是我国生产高纯硅烷的主要方法，该成果获国家发明奖三等奖。20世纪80年代，阙端麟除在高纯硅和测试技术、测试仪器外，还在硅晶体生长技术方面取得了实质性进展，“氮保护气氛直拉硅单晶”的研究成功，打破了国外同行专家“不可能采用氮气作保护气氛拉制硅单晶”的结论，取得了6项发明专利，其经济效益和社会效益十分显著。“减压充氮直拉硅单晶技术”被《科技日报》评选为我国1987年10项重大科技成果之一，1989年获国家发明奖二等奖。
鉴于物理法的定向凝固技术大部分来源于拉单晶，因此，如果阙院士的成果被应用于定向凝固，是毫不奇怪的。但最近，阙院士是三名“联名上书”的院士之一，但自己却基本置身事外，没有陷于多晶硅的江湖事务，只埋头在自己的学术研究上。是国内涉及多晶硅后又独善其身的为数不多的院士之一。
他担任学术委员会主任的浙江大学硅材料国家重点实验室，除了在大直径硅单晶生长、硅的缺陷工程以及微氮硅单晶的杂质缺陷的基础研究方面具有国际水平外，同时还开展了铸造（物理法）多晶硅在太阳能电池方面的应用研究。
梁骏吾
半导体材料学家。1933年9月出生于武汉。1955年毕业于武汉大学。1956-1960年在苏联科学院治金研究所从事高纯半导体硅单晶研究、1960年获副博士学位。1960-1970年在中国科学院半导体研究所从事高纯区熔硅单品、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究，1970-1978年在宜昌半导体厂从事半导体集成电路的研制和生产。1978年至今，在中国科学院半导体研究大规模集成电路用硅单品、掺氮中子 变硅单晶、超高速电路用外延技术、MOVPE AICaAs/CaAs量子阱材料及半导体中杂质与缺陷的行为。近年来主要研究领域为SiC外延生长和CaN基材料的生长。1997年被选为中国工程院院士。
梁骏吾院士为我国从事硅材料的元老级专家。早在1964年，就解决了高纯区熔硅的单晶生长技术，可以说是现在物理法多晶硅定向凝固的开山鼻祖。已经七十几岁高龄的梁先生自然不再从事具体的工作，但在硅行业依然活跃非常，影响力不可小觑。
早在2000年，梁院士就代表专家组参加了由峨嵋半导体材料厂承担的国家重点科技创新项目——中国拥有自主知识产权首条100吨多晶硅工业试验示范线的鉴定会。梁院士还于2006年10月22日参加了深圳南玻在湖北宜昌的多晶硅项目的动工，而据2007年12月8日《洛阳新闻网》报道，“……中国工程院院士梁骏吾代表鉴定委员会宣布，由洛阳中硅高科技有限公司开发的河南省重大科技专项———“24对棒节能型多晶硅还原炉成套装置”成果，拥有自主知识产权、具有创新性，技术水平处于国内领先、达到国际先进水平。这表明我国掌握了成熟的千吨级多晶硅产业化核心技术，标志我国已步入世界多晶硅生产强国行列。”
2006年8月，梁院士对《科技日报》记者做了题为“中国硅材料工业如何提高竞争力”的长篇访谈，提出中国的硅片应在大尺寸上建立大规模的工厂，同时应该加强协会的作用，制订行业规范，避免恶性竞争。梁院士本人没有具体针对物理法还是化学法在多晶硅上做具体工作，但他在2006年就对媒体提出，中国的硅行业无法指望从国外引进技术，只能靠自主研发创新，基本上这也是国内物理法的情况写照。
周廉
1940年生，吉林省舒兰县人。1963年毕业于东北大学。原西北有色金属研究院院长，现兼任中国有色金属学会副理事长。长期致力于超导和稀有金属材料的研究与发展工作。20世纪80年代以来，在高温超导材料研究、合成、制备、性能及应用方面取得了一系列重大突破。1994年当选为中国工程院院士。
周院士虽然不是多晶硅专业的专家，但他是向国务院联名上书的三位院士之一，也参加了2006年的“香山科学会议”的中国太阳能产业规划会议，因此，在这里仅作简单介绍。周院士在联名上书后，就没有再多过问多晶硅的事务。 | 
发表于 2008-3-28 16:44:47
