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刚才浏览了一些单晶铸造的帖子,看到有位同仁问到铸造单晶的缺点,非常好!我说几点权当抛砖引玉:
1. 引晶:
籽晶的熔接需要选取合适的籽晶,并在坩埚底部排放籽晶( 如排放不好,缝隙较大,熔体渗透下去,籽晶将浮上来;如籽晶排得较密,坩埚被撑破)
籽晶的熔接,熔接界面的控制及温度的波动的抑制
2. 生长
熔体、晶体中温度梯度的精确控制(需要多段加热器,对炉膛的尺寸与形状有要求,炉膛尺寸很大的话,温度的波动会很大,增加了设备的投资成本),过去我们搞研究的时候,是通过测试加模拟解决这一问题的
3. 顶部杂质的影响晶体的生长及良率 (越到后期,对于温度的控制要求越高)
4.冷却
多晶硅铸锭中,热应力及残余应力的释放可以通过亚晶界、微裂纹、位错的攀移滑移释放,热应力的释放途径较多,所以对于热场的均匀性及对称性要求没那么高;
但单晶铸造,晶体中的热应力及残余应力的释放途径受限制,故对热场的对称性及均匀性要求大大提高,增加设备的成本;
5 与直拉单晶相比其不足
虽然铸造单晶的光衰减特性特性改善了,但由于位错的排除机制匮乏,单晶中的位错密度较高,但可以改善;
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