高效单晶电池工艺之一

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光陷阱
      现有单晶硅片是由长方体晶锭在多线切割错锯切成一片片单晶硅方片，由于切片是铜丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片，金刚砂硬度很高，会在硅片表面带来一定的机械损伤层，如果机械损伤层不去掉，会影响太阳电池的填充因子。一般高效单晶硅电池可采用光刻倒置金字塔结构和化学腐蚀制作绒面。光刻法成本较高，一般使用化学法。单晶硅材料在碱性腐蚀液里进行腐蚀时，其100面的腐蚀速度要快于111面的，如果将单晶硅片100面作为电池的表面，经过腐蚀后就会出现以四个111面形成的金字塔结构。由于化学腐蚀容易控制，成本低廉，便于大规模生产，所以在高效硅太阳能电池工业生产方面都采用这个方法。其原理为：Si+NaOH+H2O=Na2SiO3+H2
其中用到的化学品包括：NaOH,C3H8O,和少量的Na2SiO3。其化学品作用不作详述。
理想的金字塔绒面应为：体积较小，大小均匀，覆盖率高。