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摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了本征石墨烯及缺陷石墨烯对钠原子的吸附行为. 主要研究了三种石墨烯:本征石墨烯( P - graphene) 、硼掺杂的石墨烯( Defect - Ⅰ) 和硼掺杂的叽咯石墨烯( Defect -Ⅱ) . 结果表明,与P - graphene 相比,Defect -Ⅰ和Defect -Ⅱ在吸附能、电荷密度、态密度和储钠量方面表现出很大的差异. Defect -Ⅰ和Defect -Ⅱ对钠原子的吸附能分别是- 3. 250 eV 和- 2. 332 eV,约为P - graphene 对钠原子吸附能的1. 71 倍和1. 23 倍. 态密度计算结果表明,Defect -Ⅰ和Defect -Ⅱ中钠原子与硼原子发生轨道杂化,而P - graphene 中不存在轨道杂化现象. Defect -Ⅰ和Defect -Ⅱ对钠原子的吸附量分别是9 和8 个,与P - graphene 相比提高. 因此,石墨烯中掺杂硼有望成为一种新型的储钠材料.
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