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CdTe 太阳电池组件的关键技术研究

发表于 2010-9-30 13:35:48 | 查看全部 |阅读模式
本帖最后由 ceetech 于 2010-9-30 20:23 编辑

CdTe 太阳电池组件的关键技术研究
李   卫   冯良桓*
   张静全   武莉莉   蔡亚平   郑家贵   
蔡   伟    黎   兵   雷   智
(四川大学材料科学与工程学院,  成都 610064)
摘要    采用化学水浴法沉积 CdTe 太阳电池的 n 型窗口层 CdS 多晶薄膜, 用近
空间升华法制备吸收层CdTe薄膜. 为了获得优质的背接触, 对退火后的CdTe薄
膜用湿化学法腐蚀一富Te层, 然后沉积背接触层. 结果表明: 具有ZnTe/ZnTe: Cu
复合层的太阳电池性能优于其他背接触结构的电池.  最后,  采用激光刻蚀和机械
刻蚀相结合,  制备了 glass/SnO2:F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni 太阳电池小组件,
其中一个CdTe太阳电池小组件的效率达到了7.03% (开路电压Voc = 718.1 mV,  短
路电流 Isc = 98.49 mA, 填充因子 53.68%, 面积 54 cm2
) (由中国科学院太阳光伏发

未命名.jpg

CdTe 太阳电池组件的关键技术研究.pdf

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