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2011-12-28
科学家发明半导体腐蚀新技术
美国伊利诺伊大学的研究人员发明了一种化学腐蚀新技术,可以在砷化镓(GaAs)中生成图形化阵列。该技术使高端光电装置的制备变得更容易。相关研究论文于11月3日在线发表在《纳米快报》(NanoLetters)上。 通常用两种方法来进行半导体腐蚀:湿法腐蚀和干法腐蚀。在光电应用方面,III-V族半导体GaAs是比 ...
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2012-1-18
Q-Cells创造两项新世界纪录
近日,德国公司Q-Cells宣布其60片装规格的晶体硅组件创造了两项新的记录:多晶硅组件的效率达到了18.5%,60片装的准单晶组件输出功率达到238W。 Fraunhofer太阳能系统研究所ISE校正实验室证实,Q-Cells60片规格装的多晶硅组件的孔径区域效率达到了18.5%。该记录打破了由其自己在2011年夏天创造的18.1%的世界记 ...
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