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2011-12-28

科学家发明半导体腐蚀新技术

美国伊利诺伊大学的研究人员发明了一种化学腐蚀新技术，可以在砷化镓（GaAs）中生成图形化阵列。该技术使高端光电装置的制备变得更容易。相关研究论文于11月3日在线发表在《纳米快报》（NanoLetters）上。　　通常用两种方法来进行半导体腐蚀：湿法腐蚀和干法腐蚀。在光电应用方面，III-V族半导体GaAs是比 ...

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