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单晶硅烧结后填充因子低
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单晶硅烧结后填充因子低
ourisour
ourisour
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精华
发表于 2008-9-27 01:18:00
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各位朋友S125单晶硅烧结后填他、充因子低是什么原因、导致的?
如过片原教烂会出现这种情况吗?
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ourisour
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精华
楼主
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发表于 2008-9-27 01:19:04
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请教
各位朋友S125单晶硅烧结后填充因子低是什么原因导致的?
如过片原教烂会出现这种情况吗?
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Aaron
Aaron
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精华
发表于 2008-12-17 09:53:07
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“如过片原教烂”?这句话怎么理解?
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jamescrazy
jamescrazy
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精华
发表于 2010-11-9 12:21:53
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是如果片源较烂吧。应该和扩散,烧结有关
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barton2004
barton2004
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精华
发表于 2010-12-21 09:30:28
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表面微观状况也有一定的影响.
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solarpower
solarpower
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精华
发表于 2011-3-22 16:07:32
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可能会出现。。
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zyn-nku
zyn-nku
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精华
发表于 2012-5-3 10:09:41
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估计烧结没做好,电池的串联电阻较大,造成填充因子地
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