等离子刻蚀中的重要参数

强强

离子束刻蚀反应室 14.5" SS 安装在左侧的立方体 离子枪 12 cm DC 离子枪 (Veeco)，由直流电动机驱动SS快门的MPS 5001提供500 W 供电电源， 安装在反应室顶部。 真空计 主反应室: WRG D NW 25, Baratron 型 626A 0.1 Torr 6” 工作台 直径6.5" ，OFHC 铜 + 不锈钢水冷与0-90度旋转工作台组合（差动泵） 晶片装载/卸载 手动 Cu的刻蚀速率 @ 1000V/150ma 20 nm/min Si的刻蚀速率 @ 1000V/150ma 30 nm/min 刻蚀均匀性 ±5% （4“以上） 操作 全自动化，处方驱动，电脑控制及互锁,实验室观看软件。 底面压力 6 x10-7 Torr (2 天) 5x 10-6 Torr < 20 分钟 MFC Ar 压力调节 Turbo Speed 隔离阀 6” VAT 气动阀 RIE刻蚀系统 RIE反应室 直径13” 铝制反应室，安装在右侧。 RF 工作台 8“，阳极氧化，暗区保护。 工作台冷却 水冷，无通过冷却剂到地面的直接通路。 气体分配 喷淋头 真空计 1Torr Baratron，和 BOC Edwards 宽频真空计。 底面压力 6 x10-7Torr (2 天) ~10-6 Torr < 20 分钟 MFC CHF3, CF4,O2, SF6