保利协鑫推出“鑫多晶S1+” 高效多晶硅片

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       2012年3月21日，保利协鑫能源控股有限公司在亚洲太阳能光伏工业展览会上推出了高效多晶硅片“鑫多晶S1+”。这款新的硅片产品采用了其自产的电子级多晶硅料，并对铸锭炉的热场进行独创的设计，新硅片的微观结构进行了优化，其位错、层错、晶界等晶体缺陷也获得更精确的控制。相比于此前的多晶硅片，“鑫多晶S1+”拥有更低的碳、氧及金属杂质浓度、更长的少子寿命，更加均匀的掺杂分布。

       保利协鑫表示，在利用普通电池片技术的情况下，采用“鑫多晶S1+”硅片的组件(60片，156×156mm)能超过270瓦，相比之下采用此前发布的“鑫单晶”硅片的鑫单晶组件(60片，156×156mm)可以达到285瓦。

       保利协鑫通过其三个不同的客户利用酸制绒工艺制成的电池片(1000片/批)，三批电池片的平均转换效率为17.63%、17.46%、17.55%。新硅片的转换效率比基线提升0.5%—0.7%，在原有普通电池生产线上可以全面制造超过250瓦的多晶组件。保利协鑫宣称，“鑫多晶S1+”硅片将因更高的效率协助降低2%的光伏发电成本。

       此次推出的“鑫多晶S1+”是继保利协鑫于2011年10月份在台湾推出“鑫单晶”后的新高效产品后，保利协鑫的硅片产品开始全面转向高效路线。

       S1鑫多晶系列硅片中，鑫多晶S1的电池测试平均效率为17.1%，S1+的电池测试平均效率超过17.6%。保利协鑫计划在今年3月份完成客户试样认证，一个月后完成量产爬坡，最终在5月份实现全面扩产。

       保利协鑫对其S1鑫多晶高效硅片系列产品拥有更高的期望，并计划通过技术研发继续提升效率：每6个月电池效率提升0.35%、组件功率提升5瓦；24个月后电池效率提升1.4%、组件功率达到275瓦。

       保利协鑫首席技术官代冰详细解释了未来两年效率提升1.4%的路线图，其中原材料、辅材技术将提供0.2%的效率提升空间，长晶、铸锭工艺优化可以提升0.4%的效率，长晶、铸锭的热场优化可以提升0.6%的效率，硅片表面结构优化将提升0.1%的转换效率，更严格的质量管控能带来0.1%的效率。

       2012年初保利协鑫多晶硅产能为6.5万吨，硅片产能为8GW，高效硅片的产量将占更多的份额。