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单晶硅烧结后填充因子低

发表于 2008-9-27 01:18:00 | 查看全部 |阅读模式
各位朋友S125单晶硅烧结后填他、充因子低是什么原因、导致的?
如过片原教烂会出现这种情况吗?
 楼主| 发表于 2008-9-27 01:19:04 | 查看全部

请教

各位朋友S125单晶硅烧结后填充因子低是什么原因导致的?
如过片原教烂会出现这种情况吗?
发表于 2008-12-17 09:53:07 | 查看全部
“如过片原教烂”?这句话怎么理解?
发表于 2010-11-9 12:21:53 | 查看全部
是如果片源较烂吧。应该和扩散,烧结有关
发表于 2010-12-21 09:30:28 | 查看全部
表面微观状况也有一定的影响.
发表于 2011-3-22 16:07:32 | 查看全部
可能会出现。。
发表于 2012-5-3 10:09:41 | 查看全部
估计烧结没做好,电池的串联电阻较大,造成填充因子地
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