IMEC声称GaAs太阳能电池取得重大突破

光谷子

上网时间 : 2008年02月28日   电子工程专辑

比利时研究机构IMEC声称，利用锗基板上面的GaAs太阳能电池，使太阳能电池转化效率实现了重大突破。

IMEC表示，利用锗基板上面的单结GaAs太阳能电池，转化率达到了24.7%的最高纪录。

电池是根据ESA-IMAGER项目制造的。比利时材料技术集团Umicore通过一种优化的制造工艺生产了锗基板，以改善锗晶体的内在质量。

该电池的效率经美国国家可再生能源实验室(NREL)测定和确认。GaAs太阳能电池用于卫星太阳能板之中，以及地面上的太阳能聚光器。

IMEC利用一种得到改善的微缺陷分布，在锗基板上面外延生长出上述电池。该电池的功率为0.25cmw，利用999 mV的开路电压(Voc)和29.7 mA/cm2的短路电流(Jsc)、以及83.2%的填充因数，获得了24.7%的效率。

研究人员表示，改善单结GaAs电池的效率是混合单片/机械堆叠三结太阳能电池开发道路上的重要一步。此类太阳能电池是由利用不同半导体制造的太阳能电池堆叠构成的，半导体经过仔细选择，以最有效地吸收太阳光谱。

在许多可能的组合方式中，IMEC专注于堆叠电池，顶层电池由III-V族材料构成，底层电池由锗构成。利用这种组合，IMEC希望把转化效率提高到35%以上